Konstrukcja na tranzystorze LDMOS BLF4G20LS-110B.
Tranzystor z pasma 2GHz, ale znakomicie pracuje na 1296MHz.
Płytki pozyskane na różnych zlotach, często spotykane, stosowane w radioliniach GSM. Ostatecznie posłużą do budowy PA na czterech takich płytkach.
W pierwszej kolejności należy usunąć na wejściu filtr AT1 1,9GHz, oraz kondensator C5.
W miejsce C5, oraz równolegle z C1, C4, C35 należy dolutować trymery.
Do punktu E11 i E12 podłączamy zasilanie Vd - 28V.
Do punktu E10 bias Vg - ustawiony na 3,2V, prąd Id - 700mA.
Punkty E7 i E9 masa.
Płytka bias wykonana na regulatorze napięcia LP2951, ale równie dobrze można wykonać na np LM317.
Bias |
Płytki w trakcie przestrajania
Zamontowana płytka biasu |
Dodatkowe trymery |